美國斯坦福大學謝燕武博士到寧波材料所進行學術交流
10月23日,美國斯坦福大學研究助理謝燕武博士到寧波材料所進行學術交流,并作了題為“Tuning the quasi two-dimensional electron gas at complex oxide interface”的學術報告。
報告中,謝燕武介紹了使用電荷調控LaAlO3/SrTiO3界面準二維電子氣(q2DEG)的研究工作,使用極性分子吸附和使用AFM探針施加偏壓的辦法來調控LaAlO3/SrTiO3界面的電輸運特性。由于LaAlO3/SrTiO3界面的電輸運對極性分子的吸附非常敏感,可以用來做氣體分子傳感器。通過優(yōu)化上述兩種調控方法可以將LaAlO3/SrTiO3界面q2DEG 的霍爾遷移率提高至20,000 cm2V-1s-1以上,從而首次在d電子體系q2DEG的霍爾電導中觀察到具有四重簡并度的新臺階。
謝燕武,美國斯坦福大學Geballe先進材料實驗室的研究助理。2001年和2004年在吉林大學先后取得學士和碩士學位,2007年在中國科學院物理研究所取得博士學位。之后,先后在燕山大學亞穩(wěn)材料制備技術與科學國家重點實驗室、日本東京大學先端材料研究所和美國斯坦福大學Geballe先進材料實驗室從事研究工作。主要從事復雜氧化物界面電子學的實驗前沿研究,精通研究復雜氧化物的多種最先進的實驗技術,能在原子尺度實現(xiàn)可控制備、表征探測與物性調控。研究工作既注重探索新奇的界面量子現(xiàn)象,又注重發(fā)展面向未來的新型電子器件。已在《Nature Materials》、《Nature Communications》、《Advanced Materials》和《Nano Letters》等國際主流學術期刊上發(fā)表研究論文共40余篇,是《Advanced Materials》和《Nano Letters》等多個學術期刊審稿人。
(磁性材料事業(yè)部)